實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET
- 發(fā)布日期：日期：2025-07-22
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近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機(jī)所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。
在這種背景下，又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)內(nèi)先進(jìn)的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外，為了滿足更廣泛的需求，還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達(dá)12款。
本系列產(chǎn)品采用新工藝，實(shí)現(xiàn)了超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個(gè)封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時(shí)間。
今后，還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應(yīng)用的功耗和實(shí)現(xiàn)小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。
＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞
1．實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
在此次開發(fā)的新的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。
2. 有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計(jì)周期
通過在一個(gè)封裝中內(nèi)置的兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時(shí)間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。
＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞
1．實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
在此次開發(fā)的新的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。
2. 有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計(jì)周期
通過在一個(gè)封裝中內(nèi)置的兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時(shí)間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。